| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201610318283.3 |
| 公开（公告）号 | CN105969332B | 公开（公告）日 | 2018-01-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 浙江理工大学; 杭州玄路光电科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种氮化硼包覆M2Si5N8 : Eu2+荧光材料的合成方法。该方法步骤如下：碱土金属、稀土铕和硼化物氨合溶解，形成蓝绿色氨合离子溶液；将该溶液注入活性球形非晶硅粉中，搅拌使液氨挥发，氨基金属、硼沉析在该粉表面得到混合物；将该混合物装入经氮气吹扫合成炉中，经10℃/min升温到600℃~650℃，保温，直升到1100℃~1380℃，保温得到氮化硼包覆M2Si5N8 : Eu2+荧光材料，充氮使炉内保持0.1 Mpa压力，冷却到常温，取出产物。本发明以活性非晶硅粉通过与其他前驱体组分复合，获得氮化硼包覆M2Si5N8 : Eu2+荧光材料，降低产品成本的同时提高产品质量。 | ||
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