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一种背底损耗优化的掺稀土光纤及其制备方法 发明申请

2022-05-31 3120 622K 0

专利信息

申请日期 2025-02-21 申请号 CN202210188847.1
公开(公告)号 CN114512885A 公开(公告)日 2022-05-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 长飞光纤光缆股份有限公司
简介 本发明提供一种背底损耗优化的掺稀土光纤,包括由内至外依次排列的芯层、过渡包层和纯硅包层,芯层和过渡包层均为多元掺杂的二氧化硅层;芯层中的掺杂材料包括铝、镱、磷、以及一种或多种碱金属元素;碱金属元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算,则芯层中掺杂的碱金属氧化物平均浓度为50ppm~1000ppm;过渡包层中的掺杂材料包括氟、磷、以及一种或多种碱金属元素;碱金属元素的掺杂浓度按其氧化物形式计算,则过渡包层中掺杂的碱金属元素平均浓度为500ppm~300ppm;其中,芯层与过渡包层中所掺杂的碱金属元素相同。本发明通过碱金属的掺杂使芯层和过渡包层能形成良好的粘度匹配,减少光纤制备中的缺陷和应力损耗,进一步优化掺稀土光纤的背底损耗。


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