用於制程环上之基於稀土金属氧化物的薄膜涂层之离子辅助沉积发明授权

2022-07-07 2740 2652K 0

申请日期	2024-11-29	申请号	TW103124575
公开（公告）号	TWI625809B	公开（公告）日	2018-06-01
公开国别	TW	申请人省市代码	全国
申请人	应用材料股份有限公司
简介	一種製造物品的方法包括為蝕刻反應器提供一環。隨後進行離子輔助沉積(IAD)以在該環的至少一個表面上沉積保護層，其中該保護層為抗電漿稀土金屬氧化物膜，該膜具有小於300微米的厚度及小於6微英吋的平均表面粗糙度。

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