| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN201811192277.3 |
| 公开（公告）号 | CN109112590A | 公开（公告）日 | 2019-01-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东北大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种低温电化学沉积制备金属铥薄膜的方法，属于稀土金属低温电沉积领域。一种低温电化学沉积制备金属铥薄膜的方法，所述方法为电沉积法，包括下述工艺步骤：将硝酸锂溶解于DMI中得硝酸锂的DMI电解液；将硝酸锂的DMI电解液置于电解槽中，再向其中加入无水氯化铥，在电解槽内搅拌混合，使之形成均一体系，控制整个体系温度在25～65℃，电解电压范围‑2.0～‑2.4V vs Ag；电沉积过程中，每隔一段时间向电解槽内补加无水氯化铥，控制氯化铥摩尔浓度为起始浓度±2％。本发明所述方法在高效制备稀土金属铥膜的同时显著降低能耗和生产成本。 | ||
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