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一种红色长余辉单晶体材料及其制备方法 发明申请

2022-07-07 3400 395K 0

专利信息

申请日期 2025-04-24 申请号 CN201810977502.8
公开(公告)号 CN109161968A 公开(公告)日 2019-01-08
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中山大学
简介 本发明公开了一种红色长余辉晶体材料及其制备方法。该长余辉材料为单晶体,结构属于三方晶系,ABO3型,化学式为LiNbO3 : Mg2+, Pr3+。式中,LiNbO3为基体,Mg2+和Pr3+为掺杂组分。掺杂组分Mg2+的含量为基体的1~6mol%,掺杂组分Pr3+的含量为基体的1~3mol%。制备方法包括配料、预烧结和提拉法生长。本发明制备的红色稀土长余辉发光晶体,能够由紫外光照射激发,也可以通过X射线照射激发,发射红色光(中心波长619纳米),并具有长时间余辉。本发明可于紫外光和X射线检测、光存储、安全标识、高温传感和力传感等应用场合,具有低成本、高热稳定性和机械稳定性等优点。


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