| 申请日期 | 2025-02-22 | 申请号 | CN201610873041.0 |
| 公开（公告）号 | CN106270523B | 公开（公告）日 | 2018-02-13 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国人民大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种大面积超薄单晶及其快速生长方法。该方法包括：以荧光粉和氧化物基质为原料，或者以荧光粉、氧化物基质和稀土氧化物为原料，制备得到流模片后，再进行晶体生长，得到所述单晶。该方法具有如下优势：发光离子分布均匀浓度可控，大面积超薄片，超短生长周期，生长温度低，成本低产量高。 | ||
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