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一种含Pr、亚微米TiN的芯片堆叠互连材料 发明授权

2022-06-06 3870 287K 0

专利信息

申请日期 2025-02-22 申请号 CN201510477421.8
公开(公告)号 CN105140210B 公开(公告)日 2018-02-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 江苏师范大学
简介 本发明公开了一种含Pr、亚微米TiN的芯片堆叠互连材料,属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土元素Pr含量为0.01~0.5%,亚微米TiN颗粒为0.05~8%,其余为In。首先采用机械研磨法制备In‑Pr中间合金粉末,其次混合In‑Pr粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌,最后添加亚微米TiN颗粒,充分搅拌制备膏状含Pr和亚微米TiN颗粒的互连材料,采用喷印技术在芯片表面制备凸点,在一定压力(1MPa~10MPa)和温度(170℃~260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连,形成高强度互连焊点。本互连材料具有高可靠性,可用于三维封装芯片堆叠。


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