| 申请日期 | 2025-02-22 | 申请号 | TW106104882 |
| 公开（公告）号 | TW201805944A | 公开（公告）日 | 2018-02-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 东芝股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明提供一种写入效率得到改善之SOT写入方式之磁性记忆体 本实施形态之磁性记忆体具备：第1至第3端子；导电性之第1非磁性层，其具有第1至第3部分，上述第1部分位於上述第2部分与上述第3部分之间，上述第2部分与上述第1端子电性连接，上述第3部分与上述第2端子电性连接；第1磁阻元件，其具有与上述第3端子电性连接之第1磁性层、配置於上述第1磁性层与上述第1部分之间之第2磁性层、及配置於上述第1磁性层与上述第2磁性层之间之第2非磁性层；及第1层，其至少配置於上述第1部分与上述第2磁性层之间，含有Mg、Al、Si、Hf及稀土类元素中之至少一种元素、以及氧及氮中之至少一种元素 | ||
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