半导体基板上之稀土金属表面活化电浆掺杂发明申请

2022-06-06 4310 6467K 0

申请日期	2024-11-29	申请号	TW106106601
公开（公告）号	TW201805468A	公开（公告）日	2018-02-16
公开国别	TW	申请人省市代码	全国
申请人	兰姆研究公司
简介	本说明书中提供使用沉积含稀土金属的膜(例如含钇膜)及退火技术来掺杂半导体基板的方法在未施加偏压的情况下使用气体、液体、或固体前驱物来沉积含稀土金属的膜，且可保形地沉积该等膜若干实施例可涉及使用电将来进行沉积可在低於约500°C的温度下使基板退火

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