申请日期 | 2025-02-22 | 申请号 | CN201680037646.4 |
公开(公告)号 | CN107710360A | 公开(公告)日 | 2018-02-16 |
公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
申请人 | 日立金属株式会社 | ||
简介 | 在R‑T‑B系烧结磁体100的表面形成包含将金属粉末22和金属化合物粉末24进行混合而得的混合粉末和树脂粘合剂20的膏体的涂布膜200。之后,通过热处理,使涂布膜200中的金属成分扩散到烧结磁体100内部。涂布膜200含有在热处理工序后还残存的碳,并且,调整热处理前的涂布膜200的碳含量,使得从残存的碳的含量中减去膏体中所含的混合粉末在所述热处理前的碳含量所得到的值为热处理后的涂布膜200总量的0.07质量%以上0.50质量%以下的范围。 |
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