| 申请日期 | 2025-04-07 | 申请号 | CN201710785757.X |
| 公开（公告）号 | CN107740188A | 公开（公告）日 | 2018-02-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | ||
| 简介 | 本发明提供了稀土晶体生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统，本发明从稀土晶体生长的根本出发，针对晶体生长的机理不清晰，缺乏对多尺度生长过程的有效控制的现状，认为生长控制系统之中缺少前端理论设计功能，从而延长了生长技术的周期，增加了稀土晶体生长的前期投入。本发明从稀土晶体的生长机理入手，提出了稀土晶体生长工艺中提拉生长速率的计算方法和计算系统，结合实际生长中的温度梯度，计算不同尺寸区间的生长速度，解决了稀土晶体生长技术设计周期长、生长参数需要反复优化等问题，尤其是大尺寸稀土晶体在上述方面存在的问题。 | ||
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