| 申请日期 | 2025-04-10 | 申请号 | CN201510989252.6 |
| 公开（公告）号 | CN105525348B | 公开（公告）日 | 2018-02-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 青岛大学 | ||
| 简介 | 本发明属于单晶生长技术领域，涉及一种适用于助熔剂法单晶生长的装置，特别是一种稀土掺杂正磷酸盐晶体的助熔剂法生长装置及方法，先将氧化铅和氟化铅混合后压制成圆柱形块状结构得到助熔剂，再将YbPO4和YPO4的混合物放置于内壁的底部并压实，在混合物上面放置助熔剂；然后将上盖拧盖在外壁上密封后将生长装置放置于加热炉内，调节加热炉的温度，先升温至800℃，再依次降温至750℃、700℃、600℃、500℃和室温，晶体生长结束，其采用的装置结构简单，操作方便，成本低，能耗少，能将晶体生长温度降低400℃，减少能源损耗，生长出的晶体尺寸和质量高，减少有毒物质的排放，环境友好。 | ||
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