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具有化学障壁之基板上磊晶成长之结构 发明申请

2022-06-06 2390 2060K 0

专利信息

申请日期 2025-02-23 申请号 TW106114779
公开(公告)号 TW201807269A 公开(公告)日 2018-03-01
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 IQE有限公司
简介 一種結構可包括基板層、稀土金屬氧化物障壁層以及第三族層,基板層具有介面且介面具有載子濃度,稀土金屬氧化物障壁層成長於基板層之上,而第三族層成長於稀土金屬氧化物障壁層之上。介面中的載子濃度數量級大於塊材載子濃度數量級而彼此不同。稀土金屬氧化物障壁層可包括稀土金屬氧化物材料,並可防止第三族成分擴散至基板層。第三族層可包括第三族元素


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