| 申请日期 | 2025-02-24 | 申请号 | CN201711204916.9 |
| 公开（公告）号 | CN107749565A | 公开（公告）日 | 2018-03-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 江苏点晶光电科技有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种Si基垂直腔面发射芯片，结构包括从下到上排列的n型电极，衬底，缓冲层，位于衬底上的下分布式布拉格反射镜，位于下分布式布拉格反射镜上的有源区，位于有源区上的上分布式布拉格反射镜，位于上分布式布拉格反射镜上的p型电极以及位于圆柱形台面周围的SiO2限制层。本发明在n型硅基板上制备硅掺杂的(AlxGa1‑x)2O3、(AlyGa1‑y)2O3叠层结构作为下分布式布拉格反射镜，并采用稀土掺杂的Ga2O3作为n型发光材料，以GaAs、AlGaAs或InP、InGaAsP叠层结构作为上分布式布拉格反射镜。作为本发明所述的硅基垂直腔面面发射光源，具有高热稳定性，高化学稳定性，且制备方法简单，可靠性高。 | ||
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