| 申请日期 | 2025-02-25 | 申请号 | CN201410229468.8 |
| 公开（公告）号 | CN105199730B | 公开（公告）日 | 2018-03-23 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 五邑大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土掺杂氧化钨纳米结构薄膜的制备方法，其工艺步骤为以W粉和稀土氧化物的混合物为原材料，首先用传统的热蒸发法在石英、硅片、陶瓷等耐高温衬底上生长薄膜，再进行退火处理得到稀土掺杂的氧化钨纳米薄膜。该稀土掺杂氧化钨纳米结构材料分布均匀，拉曼光谱显示氧化钨的特征峰，具有高结晶度，采用短波长光激发，发射光谱显示出稀土离子特征峰。由于氧化钨晶体结构丰富、可逆、易变，而稀土离子处于不同的晶格场中时能级劈裂不同，可以根据发射谱线的特点辨别晶体场的变化，从而达到稀土离子对晶格场的探针作用，在发光领域、半导体领域和作为荧光探针等有巨大的潜在应用价值。 | ||
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