| 申请日期 | 2025-02-25 | 申请号 | CN201680043294.3 |
| 公开（公告）号 | CN107851736A | 公开（公告）日 | 2018-03-27 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 诺瓦尔德股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种半导体材料，其包含(i)基本上元素形式的正电性元素，其选自碱金属、碱土金属、稀土金属和过渡金属，和(ii)至少一种第一化合物，其为包含至少一个选自氧化膦基团或二唑基团的极性基团的化合物；制造所述半导体材料的方法；包括阴极、阳极和所述半导体材料的电子器件。 | ||
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