半导体装置及其制造方法发明申请

2022-06-06 4750 4954K 0

申请日期	2025-02-25	申请号	TW106103614
公开（公告）号	TW201812915A	公开（公告）日	2018-04-01
公开国别	TW	申请人省市代码	全国
申请人	东芝记忆体股份有限公司
简介	根据一个实施例，一种半导体器件，包括第一稀土氧化物层，与第一稀土氧化物层相邻的第一磁性层，以及非磁性层，所述第一磁性层设置在所述第一稀土氧化物层和所述非磁性层之间，并且在与所述非磁性层的晶体表面相同的晶体表面中取向。

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