| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | TW106142829 |
| 公开（公告）号 | TW201812055A | 公开（公告）日 | 2018-04-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 美商应用材料股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种制造制品的方法，包括提供诸如用于蚀刻反应器的腔室部件之类的制品。 执行等离子体喷射沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上沉积第一保护层。 第一保护层是具有大于大约50微米的厚度和多个裂缝和孔隙的耐等离子体陶瓷。 然后进行离子辅助沉积(IAD)工艺，以在第一保护层上沉积第二保护层。 第二保护层是具有小于50微米的厚度和小于1%的孔隙率的耐等离子体稀土氧化物。 第二保护层密封第一保护层的多个裂缝和孔隙。 | ||
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