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硅基太阳能电池及其制造方法 发明申请

2022-06-06 1780 499K 0

专利信息

申请日期 2025-02-25 申请号 CN201610859684.X
公开(公告)号 CN107871793A 公开(公告)日 2018-04-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 韩山师范学院
简介 本发明公开了一种硅基太阳能电池,包括:硅基电池本体,设置在入射光路径上的光子转换发光材料层,光子转换发光材料层包括上或下转换发光材料层;上转换发光材料层将光子进行由低到高的能量转换且发射到硅基电池本体中;下转换发光材料层将光子进行由高到低的能量转换且发射到硅基电池本体中;上转换发光材料层由工艺温度低于400摄氏度的溅射工艺形成的稀土掺杂硫氧化物薄膜材料组成;下转换发光材料层由工艺温度低于400摄氏度的溅射工艺形成的稀土掺杂氧化物薄膜材料组成。本发明还公开了一种硅基太阳能电池的制造方法。本发明能拓宽其光谱响应,提高太阳能电池的转换效率,能与微电子工艺技术相兼容,工艺简单、成本低。


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