| 申请日期 | 2025-02-20 | 申请号 | CN201610854641.2 |
| 公开（公告）号 | CN107868662A | 公开（公告）日 | 2018-04-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 韩山师范学院 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种上转换发光材料的制造方法，形成步骤包括：步骤一、提供多靶磁控溅射设备；步骤二、安装靶材，靶材根据所要形成的稀土掺杂硫氧化物进行选取，包括：稀土掺杂硫氧化物的硫氧化物基质材料对应的基质稀土氧化物靶和基质稀土硫化物靶，稀土掺杂硫氧化物的稀土掺杂材料对应的掺杂稀土靶；步骤三、将衬底放入到共溅射反应室的基片座上；步骤四、将对共溅射反应室进行抽真空；步骤五、通入溅射气体并进行衬底温度为室温～400摄氏度的溅射工艺在衬底表面形成所述稀土掺杂硫氧化物。本发明能在较低温度下实现材料的大面积生长，能与微电子工艺技术相兼容，工艺简单、成本低，并能有效的与太阳能电池的制备过程相结合。 | ||
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