| 申请日期 | 2025-02-25 | 申请号 | CN201611150726.9 |
| 公开（公告）号 | CN106601401B | 公开（公告）日 | 2018-04-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国工程物理研究院材料研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备方法及其产品，目的在于解决现有方法无法实现对晶界结构的精细调控，导致晶界强化效果单一、重稀土资源浪费严重，而随着磁体用量的剧增，将导致有限的稀土资源大量消耗的问题。本发明中，采用双合金工艺和二次烧结技术，实现了晶界多层结构调控的高丰度稀土烧结钕铁硼磁体的制备。本发明制备的磁体具有双主相结构，即同时具有Nd2Fe14B主相和(La, Nd)2Fe14B/(Ce, Nd)2Fe14B主相；且晶界相具有重稀土薄壳层/含高丰度稀土的高电位晶界中心层/重稀土薄壳层多层晶界结构。本发明在实现了高丰度稀土充分利用的基础上，通过对晶界结构的精细调控，实现了磁体磁性能和抗腐蚀性能的全面提高，具有较高的应用价值和经济价值。 | ||
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