| 申请日期 | 2025-02-25 | 申请号 | CN201711079177.5 |
| 公开（公告）号 | CN107892913A | 公开（公告）日 | 2018-04-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 哈尔滨工程大学 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种提高杂质增强型稀土上转换材料荧光效率的方法，属于光学纳米材料领域。掺杂杂质作为一种增强稀土上转换荧光效率的公知方式，具有操作简单、成本低廉、效果显著的优点。但其最大的局限是杂质离子在降低晶格对称性的同时也会引入缺陷，即猝灭中心，所以引入杂质实际上带来了晶场增强与缺陷猝灭的相互竞争。本发明通过核壳结构的设计将敏化剂与杂质、敏化剂与发光中心分别集中在核壳结构的不同区域，在利用杂质增强作用的同时抑制引入杂质带来的副作用，进一步改善上转换纳米材料的发光效率，能够保留传统的杂质增强方法对稀土上转换材料起到的增强作用，提高上转换效率。 | ||
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