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氧化物超导体及其制造方法 发明申请

2022-06-06 2470 1295K 0

专利信息

申请日期 2025-02-26 申请号 CN201680047826.0
公开(公告)号 CN107922208A 公开(公告)日 2018-04-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 株式会社东芝
简介 实施方式的氧化物超导体具备氧化物超导层,该氧化物超导层含有单晶、2.0×1015原子/cc以上5.0×1019原子/cc以下的氟和1.0×1017原子/cc以上5.0×1020原子/cc以下的碳,所述单晶具有含有选自钇、镧、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镥中的至少1种稀土类元素、钡、以及铜的连续的钙钛矿结构,钙钛矿结构的稀土元素的位点的一部分中含有镨,相对于至少1种稀土类元素与镨的总量,镨的摩尔比在0.00000001以上0.2以下。


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