| 申请日期 | 2025-02-26 | 申请号 | CN201280043390.X |
| 公开（公告）号 | CN103782352B | 公开（公告）日 | 2018-04-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 户田工业株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种不含Dy等高价且资源稀少的元素、能够不追加HDDR工序以外的工序地制造的矫顽力优异的R‑T‑B类稀土磁体粉末。本发明的R‑T‑B类稀土磁体粉末包括含有R2T14B磁性相的晶粒和晶界相，晶界相的组成中，R量为13.5at.％以上35.0at.％以下，Al量为1.0at.％以上7.0at.％以下，该R‑T‑B类稀土磁体粉末可以通过在原料合金的HDDR处理的过程中控制HDDR处理的DR工序中的热处理条件而得到。 | ||
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