| 申请日期 | 2025-02-27 | 申请号 | CN201710256364.X |
| 公开（公告）号 | CN107034380B | 公开（公告）日 | 2018-05-01 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 济南大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种制备纳米SiC、Yb增强A356.2合金的方法，包括以下步骤：以纳米级的SiC为颗粒增强体，经过超高温氧化处理后，再采用纳米磁控溅射设备，将高纯金属Ti均匀的包裹在氧化处理后的SiC颗粒表面；采用高纯重稀土变质和连续超声辅助熔炼，进一步提高铸造质量。本发明采用自主研发电阻炉支架为辅助设备，使得SiC颗粒处于悬浮状态就得以浇注。此制备方法简单、成本较低，生产周期短，绿色无毒且铸件具有较高的性能，产业化前景良好。 | ||
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