| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN201310403536.3 |
| 公开（公告）号 | CN104425712B | 公开（公告）日 | 2018-06-15 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京有色金属研究总院 | ||
| 简介 | 一种稀土氧化物作为存储层的全透明阻变存储器，包括底电极、顶电极以及位于底电极和顶电极之间的阻变存储层材料，所述阻变存储层材料由一层稀土氧化物薄膜构成，在可见光区具有接近100％的透过率。其制作方法包括以下步骤：(1)透明衬底的清洗；(2)在透明衬底上制作底电极；(3)利用物理气相沉积技术在底电极上沉积稀土氧化物薄膜；(4)利用光学曝光技术形成顶电极图形，制作顶电极。本发明的全透明阻变存储器具有高透光率、存储密度高、存储稳定好、免电激活等优点，在透明电子的非易失性存储领域具有非常好的应用前景；其制作方法简单、成本低。 | ||
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