| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | TW110147642 |
| 公开（公告）号 | TW202212613A | 公开（公告）日 | 2022-04-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 美商应用材料股份有限公司 | ||
| 简介 | 本文揭示一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文揭示的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。; -/- | ||
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