| 申请日期 | 2025-04-23 | 申请号 | CN202111651627.X |
| 公开（公告）号 | CN114300946A | 公开（公告）日 | 2022-04-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种稀土掺杂的光子级联边发射半导体激光器及制备方法，涉及半导体激光器技术领域，包括：衬底，衬底上设有半导体外延结构，半导体外延结构中包括稀土离子掺杂层，两侧面分别设有反射端面和出射端面；半导体外延结构在注入电流的激励下形成第一波长激光，第一波长激光在半导体外延结构中振荡，在经过稀土离子掺杂层时激发掺杂的稀土离子发生能级跃迁并产生第二波长激光，第二波长激光在反射端面和出射端面形成的激光谐振腔中振荡，并通过出射端面输出。本发明在传统的边发射半导体激光器中掺杂稀土离子，通过光子级联的方式实现稀土离子激射光，实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高边发射半导体激光器发光强度和发光效率。 | ||
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