| 申请日期 | 2025-04-23 | 申请号 | CN202111651653.2 |
| 公开（公告）号 | CN114300940A | 公开（公告）日 | 2022-04-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种稀土掺杂VCSEL外腔反馈相干阵激光器及其制备方法，激光器包括衬底和衬底上所制备的具有稀土元素掺杂层的VCSEL芯片外延结构，VCSEL芯片外延结构中，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成光子级联复合腔，第一激光谐振腔产生第一波长激光，第一波长激光作为第二激光谐振腔中的泵浦光；第二激光谐振腔中稀土元素掺杂层中掺杂的稀土元素离子在第一波长激光的激发下产生第二波长荧光；第二波长荧光进入第三激光谐振外腔后再进入第二激光谐振腔，形成外腔互注入反馈，并由第三激光谐振外腔输出相干阵第二波长激光。通过本发明的技术方案，输出窄线宽高光束质量的相干阵激光，提高了发光效率，提高了激光光束质量。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
