| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN201910274732.2 |
| 公开（公告）号 | CN110344024B | 公开（公告）日 | 2022-04-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 应用材料公司 | ||
| 简介 | 本文公开一种在制品的表面上的具有一个或多个中断层以控制晶体生长的稀土氧化物涂层及其形成方法。所述涂层可以通过原子层沉积和/或通过化学气相沉积来沉积。本文公开的所述涂层中的稀土氧化物可以具有与所述一个或多个中断层的原子晶相或非晶相不同的原子晶相。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
