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具有腐蚀保护层的多区氮化硅晶片加热器组件、和制造及使用其的方法 发明申请

2022-06-02 1310 4306K 0

专利信息

申请日期 2025-04-10 申请号 CN202080061012.9
公开(公告)号 CN114340896A 公开(公告)日 2022-04-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 阔斯泰公司
简介 晶片加热器组件包括加热器基底和无孔最外层。加热器基底包括氮化硅(Si3N4)并且包括嵌入其中的至少一个加热元件。无孔最外层至少与加热器基底的第一表面相关联。无孔最外层包括稀土(RE)二硅酸盐(RE2Si2O7);其中RE为Yb和Y之一。无孔最外层包括暴露的表面,所述暴露的表面配置成接触晶片以进行加热,所述暴露的表面与加热器基底的第一表面相反。还公开了制造晶片加热器组件的方法以及使用晶片加热器组件的方法。


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