| 申请日期 | 2025-04-10 | 申请号 | CN202111651669.3 |
| 公开（公告）号 | CN114336284A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京工业大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种同带光子级联半导体激光器，衬底和制备在衬底上的半导体激光外延结构，半导体激光外延结构自衬底侧向上依次包括：N型DBR层、稀土元素掺杂层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型DBR层；N型DBR层、N型波导层、半导体量子阱层、P型波导层、氧化层、P型DBR层构成第一激光谐振腔，N型DBR层、稀土元素掺杂层、P型DBR层构成第二激光谐振腔，第一激光谐振腔和第二激光谐振腔形成同带光子级联复合腔。本发明通过稀土元素掺杂层实现能级跃迁过程中能量的高效利用，提高发光效率，并实现窄线宽激光输出。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
