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一种光模式调制光子级联激光器及制备方法 发明申请

2022-06-02 2140 430K 0

专利信息

申请日期 2025-04-10 申请号 CN202111651600.0
公开(公告)号 CN114336283A 公开(公告)日 2022-04-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京工业大学
简介 本发明公开了一种光模式调制光子级联激光器及制备方法,包括:GaAs衬底;GaAs衬底的一侧依次形成有信号光上反射层、光子级联层、泵浦光有源区和泵浦光下反射层,GaAs衬底的另一侧依次形成光模式调制层和增反膜;光子级联层自信号光上反射层至泵浦光有源区依次包括第一泵浦光上反射层、稀土元素掺杂层、信号光下反射层和第二泵浦光上反射层。本发明先通过VCSEL结构输出特定波长泵浦光,泵浦光使稀土元素掺杂层的稀土元素晶体光致发光,形成光子级联,并产生信号光;信号光在GaAs衬底、光模式调制层和增反膜构成的外腔反馈结构内调制光场横模、锁定频率纵模,以得到高质量的单频信号光输出。


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