| 申请日期 | 2025-04-10 | 申请号 | CN202011083082.2 |
| 公开（公告）号 | CN114335397A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | TCL科技集团股份有限公司 | ||
| 简介 | 本申请属于材料技术领域，尤其涉及一种电子传输材料的制备方法，包括以下步骤：将钛源、稀土金属源和硫源溶解后，进行水热反应，得到掺杂有稀土金属的TiS2纳米材料；在氢气气氛下，对所述掺杂有稀土金属的TiS2纳米材料进行加热反应，得到掺杂有稀土金属和氢原子的TiS2电子传输材料。本申请电子传输材料的制备方法，工艺简单，适用于工业化大规模生产和应用，制得的稀土金属和氢原子双掺杂的TiS2电子传输材料，通过稀土金属和氢原子的协同共掺杂，可有效调节TiS2材料的禁带宽度和导电性能，使掺杂有稀土金属和氢原子的TiS2材料有更好的n型半导体特性，更适用于光电器件的电子传输材料。 | ||
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