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一种R-T-B永磁体生产工艺 发明申请

2022-06-02 3810 491K 0

专利信息

申请日期 2025-04-10 申请号 CN202210184886.4
公开(公告)号 CN114334425A 公开(公告)日 2022-04-12
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 安泰爱科科技有限公司; 安泰科技股份有限公司
简介 一种R‑T‑B永磁体生产工艺,属于永磁体重稀土溅射工艺技术领域。现有技术中的重稀土镀膜并扩散于R‑T‑B永磁体毛坯的方法生产效率低且无法实现非磁化方向上进行扩散。本发明对于被溅射面与磁化方向平行时,采用重稀土溅射镀膜厚度为磁体厚度的0.12%~2.4%,配合两段保温方法,实现大尺寸R‑T‑B永磁体毛坯的溅射镀膜,显著提高了生产效率,有效减少因单片毛坯尺寸小、摆放数量多导致的摆放整齐难度大,或者导致的磕边、崩坏或碎裂现象,显著提高了产品合格率。


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