| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN02125720.5 |
| 公开（公告）号 | CN1172321C | 公开（公告）日 | 2004-10-20 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了属于陶瓷材料制备技术的一种介电常数、温度稳定型多层陶瓷电容器材料及制备方法。该材料的主要成份为钛酸钡、金属粉、以氧化钴和氧化铌及稀土氧化物的二次添加剂。采用固相合成法及化学合成法制备钛酸钡，并与金属粉、二次添加剂混合，加压成型，烧结成为多层陶瓷电容器材料。制备工艺中无需加入助烧剂，可以显著降低合成及烧成温度。材料的室温介电常数可以控制在4000和42000之间，容温变化率≤±15％。烧结温度可控制在1280℃以下。是具有广泛应用前景的高性能的多层陶瓷电容器材料。 | ||
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