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一种用于390~420nm发光半导体芯片的稀土有机配合物红色发光材料及其制备方法 发明申请

2022-07-31 3500 501K 0

专利信息

申请日期 2024-11-29 申请号 CN200610036996.7
公开(公告)号 CN1908112A 公开(公告)日 2007-02-07
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中山大学
简介 本发明涉及半导体二极管的发光材料领域,具体 公开了一种用于390~420nm发光半导体芯片的稀土有机配合 物红色发光材料及其制备方法。所述发光材料的化学组成为: Euβ3Lx,其中,Eu为稀土离子Eu3+; β为第一有机配体β-二酮;L为含有2个氮原子或1个氧原 子作配位原子的第二有机配体;下标3和x为材料化学组成中 相应组分β和L的摩尔比,x=1或x=2。制备方法为:先合 成Euβ 3·2H2O配合物,然后合成Euβ 3Lx配合物。本发明的发光材料在近紫外-蓝光范围内有强的激 发带,在半导体芯片发出的390-420nm光激发下,呈现强的 红光发射,以Eu3+离子约614nm 的红光发射为主,色纯度良好,发光材料本身及其组成的发光 二极管的CIE色坐标均接近NTSC红光标准值。


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