| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN200410070848.8 |
| 公开（公告）号 | CN100496177C | 公开（公告）日 | 2009-06-03 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 一种包含硅基稀土掺杂发光材料的电致发光器件，在稀土离子注 入的基础上，利用大剂量的杂质离子注入的办法在硅基二氧化硅薄膜里 引入大量的非桥键氧原子，这种非桥键氧原子和稀土离子结合形成有效 的稀土发光中心，其中包括：一p-型或n-型硅衬底；一掺杂层，该掺杂 层制作在硅衬底上，该掺杂层是在硅衬底上生长的二氧化硅上用离子注 入的方法形成的，该掺杂层是发光器件的有源区；一n-型或p-型多晶硅 层，该n-型或p-型多晶硅层制作在掺杂层上；一二氧化硅隔离层，该二氧 化硅隔离层生长在掺杂层和多晶硅层上；一电极，该电极制作在n-型或p- 型多晶硅层上；另一电极，该电极制作在p-型或n-型硅衬底上；在二氧 化硅隔离层表面留有一出光口。 | ||
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