| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN200710151096.1 |
| 公开（公告）号 | CN101186823A | 公开（公告）日 | 2008-05-28 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 天津理工大学 | ||
| 简介 | 本发明属于光存储发光材料，特别涉及可用来探测医疗x线诊断影像，工业无损探伤的聚合物表面包覆稀土、镉离子共激活的TaVIn1－xMxSBrF1－yIy∶Rez，Au0.1光存储发光材料。本发明还提供了该及光存储发光材料的制备方法。本发明的新型光存储发光材料，所匹配的波长段为650纳米－1000纳米之间的一个可调节宽带，适合这一波段所有的半导体激光器作为其匹配的激励光源。大大提高了利用该样品涂覆制成的x线影像板的使用方便性，增加了选择匹配激励光源的弹性范围。特别是通过聚合物表面包覆进一步提高了其发光性能。 | ||
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