| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN200610113650.2 |
| 公开（公告）号 | CN101161769A | 公开（公告）日 | 2008-04-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 一种硅基稀土掺杂发光材料制备方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一硅基衬底体材料，或硅基衬底体材料上的薄膜；步骤2：通过离子注入或淀积的方法在衬底材料或硅基衬底体材料上的薄膜表面生长一层含有杂质的硅基薄膜；步骤3：通过退火使硅基材料上的薄膜硅基材料结晶，同时生成含有杂质元素的化合物量子点；步骤4：通过离子注入实现稀土离子的掺杂；步骤5：通过退火激活稀土离子。 | ||
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