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近紫外或紫光激发的半导体发光材料及其制法 发明授权

2022-07-27 3760 483K 0

专利信息

申请日期 2024-11-29 申请号 CN200610024036.9
公开(公告)号 CN100506945C 公开(公告)日 2009-07-01
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海师范大学
简介 本发明公开了一种近紫外或紫光激发的半导体发光材料,其组成为ZnO:Sx,My且 10-4≤x≤10-2,0≤y≤0.2,其中M是选自锂、钠、钾的碱金属元素或者铕、铽的稀土元素,M为 钠时具有更好的发光效果。还公开了该发光材料的低温液相法结合高温固相法的制备方法及 性能的检测结果。本发明在较简单的工艺条件下,制备出微细高效荧光粉末材料,在370~ 440nm的长波紫外及蓝光可见光区有强的吸收,在450~600nm有强的发射。可用于黄绿光 发光器件(LED)、激光二极管(LD)等。


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