| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN201710028500.X |
| 公开（公告）号 | CN106753367B | 公开（公告）日 | 2019-04-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明提供一种稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料，其化学式为Bi1‑yReyPbO2X；其中，y=0.001~0.4，X为F、Cl、Br、I中的一种或任意几种，Re为Tb、Ce、Nd、Dy、Eu、Sm、Pr、Lu、Er、Tm、Yb、Gd中的一种或任意几种；本发明提供的稀土离子掺杂的卤铅酸铋半导体发光材料具有很好的发光性质，且物理化学性质稳定，制备方法简单、原材料成本低；该材料有望作为新型紫外、可见、近红外发光材料得到应用。 | ||
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