| 申请日期 | 2024-11-30 | 申请号 | CN201710028499.0 |
| 公开（公告）号 | CN106753366A | 公开（公告）日 | 2017-05-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 昆明理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种卤素自掺杂卤氧化铋半导体纳米发光材料，该材料利用卤素离子自掺杂增强稀土离子的发光效率，其化学式为Bi1‑xRexOMy，其中x=0.0025~0.1，y=1.2~4，Re=Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Eu、Tm、Yb、Gd、Ho、Er、La中的一种或者任意几种，M=Cl、Br、I中的一种；该材料通过卤素离子在卤氧化铋纳米半导体中的自掺杂行为，提高了其二维原子层的层间内电场，增强稀土离子的发光效率；本发明材料的制备方法成本低廉、工艺简单、条件温和、能耗低，不需要复杂设备，具有工业和市场应用推广前景。 | ||
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